MEMS压力传感器的工作原理主要基于硅压阻式和硅电容式两种技术。硅压阻式压力传感器使用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路，具有高精度、低功耗和低成本的特点。其核心部件是一个薄膜，上面刻有四个高精密半导体应变片，这些应变片位于薄膜表面应力最大处，形成惠斯顿测量电桥。当外力作用于薄膜时，它会发生弹性变形，导致四个应变片的电阻发生变化，破坏电桥平衡，输出与压力成正比的电压信号。硅电容式压力传感器则利用MEMS技术在硅片上制造出横隔栅状结构，当压力作用于上横隔栅时，它会向下位移，改变与下横隔栅的间距，从而改变板间电容量，进而转化为电信号。这些MEMS压力传感器通常采用类似集成电路的设计技术和制造工艺，进行高精度、低成本的大批量生产，广泛应用于消费电子和工业过程控制产品中。